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本刊包含 PACS 号为 "TN305.3" 的文章：

	332	刘玉岭; 金杰; 徐晓辉; 张德臣
		硅CVD外延自掺杂效应的分析研究
		电子与信息学报 1996 Vol.18 (3): 332-336 [摘要] (1675) [HTML 1 KB] [PDF 1227 KB] (585)

	104	俞跃辉; 朱南昌; 邹世昌; 周筑颖; 赵国庆
		高能离子注入硅的无损表征
		电子与信息学报 1996 Vol.18 (1): 104-108 [摘要] (1561) [HTML 1 KB] [PDF 877 KB] (546)

	109	刘玉岭; 王桂珍; 徐晓辉; 李湘都; 张志花
		利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷
		电子与信息学报 1996 Vol.18 (1): 109-112 [摘要] (1681) [HTML 1 KB] [PDF 980 KB] (613)

	92	杨瑞霞; 付濬; 李光平
		非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
		电子与信息学报 1995 Vol.17 (1): 92-97 [摘要] (1627) [HTML 1 KB] [PDF 1351 KB] (535)

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