利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷
刘玉岭; 王桂珍; 徐晓辉; 李湘都; 张志花
河北工学院电子系 天津 300130
CONTROLLING METALLIC IMPURITY AND MICRODEFECT IN SILICON CVD EPITAXY LAYER USING CONTRARY COMPENSATION
Liu Yuling; Wang Guizhen; Xu Xiaohui; Li Xiangdu; Zhang Zhihua
Electronic Department, Hebei Industrial College, Tianjin 300130
摘要 本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。
关键词 ：
硅 ,
CVD ,
外延 ,
金属杂质 ,
微缺陷 ,
反向补偿
Abstract ：This paper analyzes the mechanism models of metallic impurity infection and adsorption-desorption, and the distribution law of microdefect in growing of silicon CVD epitaxy, and then a new epitaxy technology is proposed, which is optimized by using contrary compensation, and by which the metallic impurity and microdefect in silicon epitaxy layer are reduced effectively.
Key words ：
Silicon
CVD
Epitaxy
Metallic impurity
Microdefect
Contrary compensation
收稿日期: 1994-09-12
引用本文:
刘玉岭; 王桂珍; 徐晓辉; 李湘都; 张志花. 利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(1): 109-112 .
Liu Yuling; Wang Guizhen; Xu Xiaohui; Li Xiangdu; Zhang Zhihua. CONTROLLING METALLIC IMPURITY AND MICRODEFECT IN SILICON CVD EPITAXY LAYER USING CONTRARY COMPENSATION. , 1996, 18(1): 109-112 .
链接本文:
http://jeit.ie.ac.cn/CN/ 或 http://jeit.ie.ac.cn/CN/Y1996/V18/I1/109
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