硅CVD外延自掺杂效应的分析研究
刘玉岭; 金杰; 徐晓辉; 张德臣
河北工业大学电子系 天津 300130
RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY
Liu Yuling; Jin Jie; Xu Xiaohui; Zhang Dechen
Hebei Polytechnical University Tianjin 300130
摘要 本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
关键词 ：
硅 ,
反向补偿 ,
CVD ,
外延 ,
自掺杂
Abstract ：This paper, first, analyzes self-doping mechanism, then develops an optimization technology by using the contrary compensation principle, adsorption-desorption mechanism and transform of viscous flow layer between static and dymanic conditons. It results in controlling efffectively self-doping under normal condition.
Key words ：
Silicon
Contrary compensation
CVD
Epitaxy
Self-doping
收稿日期: 1994-05-13
[1]
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[2]
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[3]
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[4]
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[13]
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[15]
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1996, Vol. 18 
