高能离子注入硅的无损表征
俞跃辉① ; 朱南昌① ; 邹世昌① ; 周筑颖② ; 赵国庆②
① 中国科学院上海冶金研究所 上海 200050; ② 复旦大学物理二系 上海 200433
NON-DESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MeV ION IMPLANTED SILICON
Yu Yuehui① ; Zhu Nanchang① ; Zou Shichang① ; Zhou Zhuying② ; Zhao Guoqing②
① Shanghai Institute of Metallurgy, Academia Sinica, Shanghai 200050;② Department of Nuclear Physics Fudan University, Shanghai 200433
摘要 将能量为3MeV,剂量为5×1015 cm-2 的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率。
关键词 ：
高能 ,
离子注入 ,
无损表征 ,
硅
Abstract ：Boron ions have been implanted into Si at an incident energy of 3MeV to a dose of 5×1015 cm-2 . Buried conductive layers are formed in Si substrate after annealing at 1050℃ for 20s. Annealing characteristics of damage has been examined by double-crystal X-ray diffraction. By detailed theoretical analysis of character of high energy ion implantation and optical response of free-carrier plasma effects, electrical activaton of implanted boron ions has been investigated by computer simulation of the IR reflection interference spectra.
Key words ：
High energy
Ion implantation
Non-destructive characterization
Silicon
收稿日期: 1994-06-27
[1]
许川佩, 陈家栋, 万春霆. 基于云模型进化算法的硅通孔数量受约束的3D NoC测试规划研究
[2]
任海豹, 赵明, 周武旸, 朱近康. 上行OFDMA系统中基于业务统计信息的高能效资源分配算法
[3]
杨银堂, 王凤娟, 朱樟明, 刘晓贤, 丁瑞雪. 考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型
[4]
余乐, 杨海钢, 谢元禄, 张甲, 张春红, 韦援丰. 三维集成电路中硅通孔缺陷建模及自测试/修复方法研究
[5]
杨鹏飞, 彭春荣, 张海岩, 刘世国, 夏善红. SOI微型电场传感器的设计与测试
[6]
沈珮, 张万荣, 金冬月, 谢红云. SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
[7]
邢英杰; 奚中和; 俞大鹏; 杭青岭; 严涵斐; 冯孙齐; 薛增泉. 硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究
[8]
陈德勇; 崔大付; 王利; 韩泾鸿. 热激励硅梁谐振器研究
[9]
海宇涵; 海灏; 奚中和; 张蔷. 用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
[10]
吴文刚; 张万荣; 江德生; 罗晋生. p型Si1-x Gex 应变层中重掺杂禁带窄变的计算
[11]
刘玉岭; 金杰; 徐晓辉; 张德臣. 硅CVD外延自掺杂效应的分析研究
[12]
冀志江; 张维连; 王志军. 掺锗直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究
[13]
刘玉岭; 王桂珍; 徐晓辉; 李湘都; 张志花. 利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷
[14]
冯景星. 硅与玻璃静电封接机理的研究
[15]
林世昌; 张燕生; 张国炳; 王阳元. 扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
1996, Vol. 18 
