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本刊包含 PACS 号为 "TN386" 的文章：

	322	李泽宏; 张波; 李肇基
		短沟DMOS阈值电压模型
		电子与信息学报 2005 Vol.27 (2): 322-325 [摘要] (1580) [HTML 1 KB] [PDF 561 KB] (752)

	389	尚也淳; 张义门; 张玉明; 刘忠立
		6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
		电子与信息学报 2003 Vol.25 (3): 389-394 [摘要] (1675) [HTML 1 KB] [PDF 540 KB] (638)

	968	王波; 洪兴楠; 高葆新; 庞云波
		用VOLTERRA 级数精确分析 MESFET 功率放大器的副谐波负载牵引特性
		电子与信息学报 2002 Vol.24 (7): 968-975 [摘要] (2016) [HTML 1 KB] [PDF 1578 KB] (640)

	982	刘红侠;郝跃
		衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究
		电子与信息学报 2002 Vol.24 (7): 982-986 [摘要] (1922) [HTML 1 KB] [PDF 1147 KB] (726)

	108	任红霞; 郝跃
		受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究
		电子与信息学报 2002 Vol.24 (1): 108-114 [摘要] (1821) [HTML 1 KB] [PDF 1212 KB] (692)

	1211	刘红侠; 郝跃
		薄栅SiO₂击穿特性的实验分析和机理研究
		电子与信息学报 2001 Vol.23 (11): 1211-1215 [摘要] (1531) [HTML 1 KB] [PDF 991 KB] (627)

	203	尚也淳; 张义门; 张玉明
		6H-SiCJFET的高温特性
		电子与信息学报 2001 Vol.23 (2): 203-207 [摘要] (1644) [HTML 1 KB] [PDF 911 KB] (778)

	77	黄艺; 沈楚玉
		用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型
		电子与信息学报 1997 Vol.19 (1): 77-82 [摘要] (1924) [HTML 1 KB] [PDF 978 KB] (1586)

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