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本刊包含 PACS 号为 "TN386.1" 的文章：

	322	李泽宏; 张波; 李肇基
		短沟DMOS阈值电压模型
		电子与信息学报 2005 Vol.27 (2): 322-325 [摘要] (1572) [HTML 1 KB] [PDF 561 KB] (694)

	389	尚也淳; 张义门; 张玉明; 刘忠立
		6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
		电子与信息学报 2003 Vol.25 (3): 389-394 [摘要] (1663) [HTML 1 KB] [PDF 540 KB] (567)

	968	王波; 洪兴楠; 高葆新; 庞云波
		用VOLTERRA 级数精确分析 MESFET 功率放大器的副谐波负载牵引特性
		电子与信息学报 2002 Vol.24 (7): 968-975 [摘要] (1996) [HTML 1 KB] [PDF 1578 KB] (572)

	108	任红霞; 郝跃
		受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究
		电子与信息学报 2002 Vol.24 (1): 108-114 [摘要] (1809) [HTML 1 KB] [PDF 1212 KB] (634)

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