长波阈为1.65μm的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计
陶兆民
中国科学院电子学研究所
THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65μm THRESHOLD WAVELENGTH
Tao Zhao-min
Institute of Electronics; Academia Sinica
摘要 <正> 透射式负电子亲和势GaAs光阴极已应用于成像器件。由于GaAs的禁带宽度为1.42eV,长波阈约为0.9μm。因此透射式负电子亲和势GaAs光阴极的工作波长范围为0.4—0.9μm。迄今尚未见报道长波阈大于1μm的透射式负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物光……
Abstract ：In this paper, a transmissive NEA phatocathode with 1.65 μm threshold wavelength is proposed and designed, its compositional structure is as follows: InP→Al0.48 In0.52 As→Ga0.47 In0.53 As→Al0.48 In0.52 As→conduction coating→glass.
收稿日期: 1981-12-30
引用本文:
陶兆民. 长波阈为1.65μm的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(5): 309-311.
Tao Zhao-Min. THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65μm THRESHOLD WAVELENGTH. , 1982, 4(5): 309-311.
链接本文:
http://jeit.ie.ac.cn/CN/ 或 http://jeit.ie.ac.cn/CN/Y1982/V4/I5/309
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1982, Vol. 4 
