BJT动态模型参数相关提取方法  
  					 
  					  										
						郝跃; 刘志境 
					 
															
						Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071 
					 
										
						 
					 
   										
    					THE CORRELATIVE EXTRACTION METHOD FOR BJT DYNAMIC MODEL PARAMETERS  
  					 
  					  					  					
						Hao Yue; Liu Zhijing 
					 
															
						Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071 
					   
									
				
				
					
						
							
								
									
										
											
                        					 
												
													
													    
													    	
									 
								 
								
																										
													    
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															关键词  :
																																																																双极晶体管 , 
																																																																	器件模型 , 
																																																																	参数表征  
																																  
															 
														 
																																										
															Abstract :A new method of extracting BJT dynamic model parameters is proposed by using the correlation between dynamic and static model parameters. Finally, the feasibility and utility of the method are demonstrated. 
														 
																																										
															Key words :
																																																	Bipolar transistor 
																	  																																		Device model 
																	  																																		Parameter measurement 
																																	    
															 
														 
																												
														
															
															    																	收稿日期:  1995-01-11
															    															        
															    															    															 
														 
														 														
															
																
															 
														 
																																									    																											
													
												 
												
												
												
													
														
															
																
																																																																																																										
																					[1] 
																					 沈珮, 张万荣, 金冬月, 谢红云. SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造  [J]. 电子与信息学报, 2010, 32(8): 2028-2032. 
																				 
																																																																																																																																																
																					[2] 
																					张住兵; 吴金; 魏同立. 硅低温双极晶体管的数值模拟  [J]. 电子与信息学报, 1998, 20(4): 546-553                 . 
																				 
																																																																																																																																																
																					[3] 
																					黄流兴; 魏同立; 郑茳 . 多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究  [J]. 电子与信息学报, 1994, 16(5): 545-549                 . 
																				 
																																																																																																																																																
																					[4] 
																					黄流兴; 魏同立; 郑茳; 曹俊诚. 低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟  [J]. 电子与信息学报, 1994, 16(2): 207-211                 .