长产生寿命的快速测量方法
丁扣宝; 张秀淼
杭州大学电子工程系 杭州 310028
RAPID DETERMINATION OF LONG GENERATION LIFETIME
Ding Koubao; Zhang Xiumiao
Department of Electronic Engineering Hangzhou University Hangzhou 310028
摘要 本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂浓度等优点。
关键词 ：
半导体 ,
产生寿命
Abstract ：A method for rapidly determining long generation lifetime under linear voltage sweep was presented. The C-t transient curve needs not to reach saturation. The data processing is simple. Furthermore, it needs not to know the sample s impurity density.
Key words ：
Semiconductor
Generation lifetime
收稿日期: 1997-07-03
[1]
彭真, 阴生毅, 郑强, 王欣欣, 王宇, 李阳. 脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能
[2]
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
吴祥应; 周世平; 徐得名. 半导体介质波导中光生载流子的浓度分布
[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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[11]
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[12]
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[13]
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[14]
张义门; 滕建旭. MOSFET中载流子能量输运计算机辅助分析
[15]
周旋; 高广和. 双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
1998, Vol. 20 
